證券時(shí)報(bào)
胡華雄
2026-03-10 12:57
存儲(chǔ)芯片，強(qiáng)勢(shì)反彈！
3月10日，在韓國(guó)證券市場(chǎng)上，存儲(chǔ)芯片巨頭SK海力士、三星電子的股價(jià)雙雙大漲。盤中，SK海力士漲幅一度超過13%，三星電子漲幅一度超過10%。
當(dāng)天，A股存儲(chǔ)芯片概念股也集體拉升，板塊指數(shù)漲幅超過2%。截至中午收盤，聯(lián)瑞新材漲超17%，鉑科新材、科翔股份漲超10%。
從消息面來(lái)看，全球存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)鏈傳出多則利好消息：一是，SK海力士和三星電子被選為英偉達(dá)Rubin HBM4供應(yīng)商，預(yù)計(jì)本月開始出貨；二是，SK海力士今日表示，已開發(fā)出一種先進(jìn)的LPDDR6動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）產(chǎn)品，專為具有人工智能（AI）功能的移動(dòng)設(shè)備而定制；三是，本周一，英偉達(dá)CEO黃仁勛喊話DRAM廠盡管擴(kuò)產(chǎn)，稱“有多少就買多少”。
存儲(chǔ)芯片概念股大漲
在經(jīng)歷了多日的震蕩后，全球存儲(chǔ)芯片概念股強(qiáng)勢(shì)歸來(lái)。今日盤中，SK海力士一度漲超過13%，三星電子一度漲超10%。隔夜，美股市場(chǎng)上，存儲(chǔ)概念股也集體大漲，閃迪漲超11%，西部數(shù)據(jù)漲近7%，美光科技漲超5%。
A股存儲(chǔ)芯片板塊今日也大幅走高，截至中午收盤，板塊指數(shù)漲幅超過2%，聯(lián)瑞新材漲17.65%，鉑科新材漲超14%，科翔股份漲超10%，炬光科技漲超9%，壹石通漲超8%，偉測(cè)科技、天馬新材漲超7%，太極實(shí)業(yè)、南亞新材、珂瑪科技等紛紛走強(qiáng)。
分析人士指出，國(guó)際油價(jià)的回調(diào)，緩解了市場(chǎng)對(duì)通脹的擔(dān)憂，這有利于成長(zhǎng)股的行情演繹。此外，存儲(chǔ)芯片行業(yè)傳出多則利好消息，對(duì)板塊的情緒提振較大。
據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道，三星電子與SK海力士雙雙入圍英偉達(dá)新一代AI加速器Vera Rubin的供應(yīng)商名單。由于HBM4從DRAM晶圓到最終封裝需要六個(gè)多月，兩家公司預(yù)計(jì)最快本月啟動(dòng)生產(chǎn)。
報(bào)道稱，盡管Vera Rubin所用HBM4的分配量和定價(jià)尚未確定，但消息人士預(yù)計(jì)，包括HBM3E在內(nèi)，SK海力士將在2026年NVIDIA的HBM總供應(yīng)中占據(jù)過半份額，而三星電子則將主導(dǎo)Vera Rubin專用HBM4的供應(yīng)。根據(jù)TrendForce預(yù)測(cè)，SK海力士仍將引領(lǐng)全球HBM比特產(chǎn)量，份額為50%（低于2025年的59%），而三星電子的份額則從20%攀升至28%。
值得關(guān)注的是，報(bào)道稱英偉達(dá)要求Vera Rubin所用HBM4的數(shù)據(jù)傳輸速率超過10Gb/s，遠(yuǎn)高于JEDEC行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)設(shè)定的8Gb/s標(biāo)準(zhǔn)。據(jù)報(bào)道，三星電子已有效通過英偉達(dá)在10Gb/s和11Gb/s兩個(gè)級(jí)別進(jìn)行的HBM4認(rèn)證測(cè)試，而SK海力士仍在優(yōu)化其產(chǎn)品以通過11Gb/s速率測(cè)試。
另外，本周二，SK海力士表示，公司已開發(fā)出一種先進(jìn)的LPDDR6動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）產(chǎn)品，專為具有人工智能（AI）功能的移動(dòng)設(shè)備而定制。
SK海力士表示，基于第六代10納米工藝技術(shù)的16Gb LPDDR6 DRAM在2026年1月的CES 2026上展出后，已完成驗(yàn)證過程。這家芯片制造商在一份聲明中表示：“SK海力士計(jì)劃在今年上半年完成量產(chǎn)準(zhǔn)備工作，并在下半年開始供應(yīng)產(chǎn)品，從而擴(kuò)大我們針對(duì)人工智能應(yīng)用優(yōu)化的傳統(tǒng)DRAM產(chǎn)品線?！?/p>
SK海力士稱，這款新產(chǎn)品將應(yīng)用于配備終端AI功能的智能手機(jī)和平板電腦等移動(dòng)設(shè)備。該公司表示，與上一代產(chǎn)品相比，新產(chǎn)品的數(shù)據(jù)處理速度提升了33%。此外，新產(chǎn)品還將幫助消費(fèi)者享受更長(zhǎng)的電池續(xù)航時(shí)間和更優(yōu)化的多任務(wù)處理性能。
產(chǎn)業(yè)鏈漲價(jià)傳聞不斷
據(jù)環(huán)球網(wǎng)援引韓國(guó)媒體Sedaily報(bào)道，近期，全球NAND閃存市場(chǎng)迎來(lái)持續(xù)漲價(jià)潮，市場(chǎng)份額位居首位的三星電子宣布計(jì)劃在2025年第二季度再次上調(diào)核心NAND產(chǎn)品供應(yīng)價(jià)格，上調(diào)幅度預(yù)計(jì)與今年第一季度持平。
據(jù)了解，三星電子已在今年第一季度將NAND閃存產(chǎn)品價(jià)格較上一季度上調(diào)約100%。若第二季度延續(xù)相同漲幅，其NAND產(chǎn)品價(jià)格較去年年底將累計(jì)上漲約200%。業(yè)內(nèi)人士表示，盡管不同客戶的最終成交價(jià)格或存在小幅差異，但三星此次確定的整體漲價(jià)幅度基本不會(huì)出現(xiàn)明顯變動(dòng)。
不僅是三星電子，整個(gè)NAND閃存行業(yè)的漲價(jià)預(yù)期正持續(xù)升溫。有半導(dǎo)體行業(yè)高層人士透露，當(dāng)前存儲(chǔ)芯片制造商的議價(jià)能力達(dá)到歷史高位，下游需求方企業(yè)大多只能被動(dòng)接受報(bào)價(jià)，SK海力士、鎧俠等頭部廠商也在籌備進(jìn)一步上調(diào)NAND產(chǎn)品價(jià)格。市場(chǎng)數(shù)據(jù)也印證了這一趨勢(shì)，TrendForce數(shù)據(jù)顯示，上月NAND通用產(chǎn)品128Gb MLC閃存顆粒平均固定交易價(jià)格漲至12.67美元，環(huán)比上漲33.9%，同比漲幅更是高達(dá)452.3%。
此次NAND閃存價(jià)格持續(xù)走高，背后是多重市場(chǎng)因素的共同推動(dòng)。一方面，人工智能產(chǎn)業(yè)發(fā)展進(jìn)入關(guān)鍵階段，AI技術(shù)從數(shù)據(jù)訓(xùn)練階段逐步向推理階段演進(jìn)，對(duì)大規(guī)模數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的需求與日俱增，NAND存儲(chǔ)的產(chǎn)業(yè)價(jià)值進(jìn)一步凸顯。同時(shí)，各大科技企業(yè)紛紛加大對(duì)AI數(shù)據(jù)中心的投資布局，直接帶動(dòng)存儲(chǔ)設(shè)備需求快速攀升，成為推高NAND閃存價(jià)格的核心動(dòng)因。
另一方面，市場(chǎng)供應(yīng)端的收緊也加劇了價(jià)格上漲態(tài)勢(shì)。目前NAND市場(chǎng)排名前兩位的三星電子和SK海力士，均將生產(chǎn)重點(diǎn)向HBM等高附加值半導(dǎo)體產(chǎn)品轉(zhuǎn)移，大幅縮減了NAND閃存的產(chǎn)量。在供需失衡的背景下，業(yè)內(nèi)普遍預(yù)計(jì)，NAND閃存價(jià)格的上漲趨勢(shì)在短期內(nèi)難以逆轉(zhuǎn)，仍將持續(xù)一段時(shí)間。
本周一，英偉達(dá)CEO黃仁勛向全球存儲(chǔ)芯片廠商喊話稱，盡管擴(kuò)產(chǎn)，有多少就買多少。
當(dāng)天，黃仁勛在摩根士丹利科技大會(huì)上表示，芯片供給短缺對(duì)英偉達(dá)而言是“極好的消息”，因?yàn)橘Y源受限會(huì)促使客戶更傾向于直接選擇性能最強(qiáng)的解決方案。他向DRAM廠商喊話：“產(chǎn)能擴(kuò)多少，我們（英偉達(dá)）就會(huì)用掉多少?！?/p>
排版：楊喻程
校對(duì)：王蔚
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